Корпорация Intel планирует усилить свои позиции на рынке памяти, где наблюдается резкий рост спроса. Этот бум вызван активным развитием ИИ-инфраструктуры и крупными закупками со стороны гиперскейлеров. Для выхода на этот рынок Intel объединила усилия с Saimemory, дочерней компанией японского холдинга SoftBank.
По информации инсайдеров, партнеры ведут совместную разработку новой технологии памяти под названием Z-Angle Memory (ZAM). Она рассматривается как альтернатива традиционным решениям, таким как HBM (High Bandwidth Memory).
Работа над ZAM началась в рамках американской государственной программы Advanced Memory Technology (AMT), поддерживаемой Министерством энергетики США, где Intel уже показывала свои прогрессивные наработки по новому поколению DRAM-бондинга.
Хотя SoftBank в публичных сообщениях не уточняет деталей о позиционировании ZAM, сама концепция технологии означает значительный отход от классической архитектуры. Ее ключевая особенность — применение так называемого Z-углового соединения слоев. Вместо стандартных вертикальных соединений между слоями, новая схема использует диагональную маршрутизацию внутри стека кристаллов.
Такой подход, как ожидается, позволит более эффективно использовать площадь кремния под ячейки памяти, что приведет к увеличению плотности и одновременному снижению теплового сопротивления.