Image default
Железо

Компания Samsung представила безбуферный твердотельный накопитель серии 990 на базе памяти QLC

Компания Samsung выпустила на рынок новый твердотельный накопитель Samsung 990, позиционирующийся как решение начального уровня. Устройство выполнено в форм-факторе M.2-2280, использует интерфейс PCIe 4.0 x4 и базируется на флеш-памяти типа QLC без выделенного буфера DRAM.

Новинку не следует путать с ранее вышедшей моделью 990 EVO, которая оснащается более быстрой памятью типа TLC. В основе новой модели Samsung 990 лежит фирменный контроллер Samsung Piccolo-Q и 280-слойная флеш-память 3D QLC NAND девятого поколения V9. Накопитель ориентирован на более доступный сегмент рынка, однако его стоимость оказалась относительно высокой из-за текущей рыночной ситуации. Версия объемом 1 ТБ оценена производителем в 270 долларов, а модификация емкостью 2 ТБ обойдется покупателям в 530 долларов.

Что касается технических характеристик, версия накопителя объемом 1 ТБ обеспечивает скорость последовательного чтения до 7150 МБ/с и последовательной записи до 6450 МБ/с. Производительность при случайном чтении блоков 4К достигает 700 000 IOPS, а при записи составляет до 1.1 млн IOPS. Старшая модель емкостью 2 ТБ работает быстрее, демонстрируя скорость последовательного чтения до 7250 МБ/с и последовательной записи до 6450 МБ/с. Показатели случайного чтения и записи для нее составляют до 850 000 IOPS и до 1.2 млн IOPS соответственно.

Читать далее:
Новые видеокарты AMD RDNA 5 повысят производительность шейдеров в играх за счёт выполнения двух инструкций одновременно

Главным отличием новинки от моделей на базе памяти TLC, таких как 990 EVO Plus, стал сниженный ресурс записи. Для версии объемом 1 ТБ показатель гарантированного объема записи составляет 400 TBW, в то время как вариант на 2 ТБ рассчитан на 800 TBW. Для сравнения, аналогичные накопители 990 EVO Plus предлагают ресурс в 600 TBW и 1200 TBW соответственно. На обе модификации предоставляется ограниченная гарантия сроком на 3 года.

Тестирование профильных изданий показывает, что накопитель оснащен достаточно большим динамическим кэшем SLC, объем которого у версии на 2 ТБ превышает 350 ГБ. В пределах этого кэша скорость записи держится на уровне около 6.1 ГБ/с, однако после его исчерпания производительность снижается до показателей нативной памяти QLC. Энергоэффективность устройства оказалась средней, поэтому для стабильной работы под нагрузкой рекомендуется использовать дополнительный радиатор охлаждения, особенно при установке накопителя в настольные компьютеры или игровую консоль PlayStation 5.

Похожие записи

ChatGPT нашёл универсальное оправдание всех проблем — «Просто ты в Ижевске»

admin

Цены на память резко вырастут в 2026 году, увеличившись на 50% из-за бума искусственного интеллекта

admin

Опубликован новый рейтинг самых быстрых Android-смартфонов — Qualcomm не оставила шансов конкурентам

admin